时间：2025/8/25 4:37:35
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IRFS620B是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等高效率功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：200V
漏极-栅极电压(Vdg)：200V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.6A（在25°C）
脉冲漏极电流(Idm)：4.8A
导通电阻(Rds(on))：2.7Ω（最大值）
栅极电荷(Qg)：17nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
IRFS620B MOSFET采用了Infineon的沟槽技术，使得其在同类产品中具备更低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。此外，该器件具备出色的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220AB封装形式提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高功率密度的设计。
此外，IRFS620B具有快速开关能力，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动要求较低，能够与标准驱动电路兼容，简化了驱动电路设计。该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力条件下的可靠性。
IRFS620B广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动和控制电路、负载开关、电池管理系统以及工业自动化和控制系统。由于其高性能和可靠性，IRFS620B也非常适合用于汽车电子和工业级应用。
IRF620B, IRFS620C, IRF820, IRFP150
