时间：2025/12/28 9:51:47
阅读：13
MB814400-80PSZ 是由富士通（Fujitsu）公司生产的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该器件属于EDO DRAM（Extended Data Out Dynamic Random Access Memory）类型，广泛应用于20世纪90年代中后期的计算机系统和嵌入式设备中。MB814400-80PSZ 的组织结构为4 Megabit（兆位），具体构成为1M x 4位，意味着其存储容量为1兆个地址，每个地址可存储4位数据。该芯片采用标准的3.3V供电电压，具有较低的功耗特性，适合在对能耗有一定要求的应用场景中使用。其封装形式为50引脚的TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB设计中布局安装。
这款DRAM芯片的主要特点是支持页模式访问和快速EDO读取操作，能够在不增加额外等待周期的情况下连续输出多个数据，从而显著提升数据吞吐率。它常用于早期的个人计算机内存条（如FPM或EDO SIMM模块）、工业控制设备、网络通信设备以及一些老式图形工作站中作为主存或缓存使用。由于其已停产多年，目前多见于维修替换或老旧设备维护场合。
型号：MB814400-80PSZ
制造商：Fujitsu
存储类型：EDO DRAM
存储容量：4 Mbit
组织结构：1M x 4
工作电压：3.3V ± 0.3V
访问时间：80 ns
封装类型：50-pin TSOP
工作温度范围：0°C 至 +70°C
刷新周期：15.6 μs
数据总线宽度：4位
电源电流（最大）：30 mA（典型值）
输入/输出逻辑电平：TTL兼容
时钟频率：无（异步操作）
写使能：支持
片选信号：支持（CS#）
行/列地址选通：RAS#、CAS#
MB814400-80PSZ 具备多项关键特性，使其在当时的技术背景下成为一种高效可靠的内存解决方案。首先，其采用的EDO（Extended Data Out）技术是该芯片的核心优势之一。与传统的FPM（Fast Page Mode）DRAM相比，EDO DRAM允许在下一个地址周期开始后仍保持前一个数据的有效输出状态，从而消除了数据总线上的等待周期，提升了连续读取性能。这种机制特别适用于需要高带宽连续数据访问的应用场景，例如图形显示缓存或批量数据处理任务。
其次，该芯片具备低功耗特性，典型工作电流仅为30mA左右，在3.3V供电条件下运行，相较于早期5V供电的DRAM产品，显著降低了整体功耗，有助于提高系统的能效比并减少散热需求。这对于便携式设备或密集型电路板布局尤为重要。
再者，MB814400-80PSZ 支持标准的异步控制接口，包括片选（CS#）、行地址选通（RAS#）、列地址选通（CAS#）和写使能（WE#）等信号线，兼容大多数通用内存控制器的设计规范。这使得它可以方便地集成到各种基于微处理器或ASIC的系统中，无需复杂的接口转换电路。
此外，该器件采用了50引脚TSOP封装，具有较小的物理尺寸和良好的热稳定性，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为商业级（0°C 至 +70°C），满足一般室内电子设备的运行环境要求。虽然不具备现代同步DRAM（如SDRAM）的突发传输和预取功能，但在其时代背景下，MB814400-80PSZ 提供了良好的性价比和稳定性，被广泛用于当时的主流计算机系统中。
MB814400-80PSZ 主要应用于20世纪90年代中期至末期的各类电子系统中，尤其是在需要中等容量、较高访问速度且成本可控的内存解决方案的场合。其典型应用之一是作为早期个人计算机中的主内存组件，常见于采用EDO DRAM技术的SIMM（Single In-line Memory Module）内存条中，用于提升系统整体性能，特别是在图形界面操作系统（如Windows 95/98）环境下运行应用程序时表现优于FPM DRAM。
另一个重要应用领域是工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和嵌入式工控机等设备。这些系统通常要求长期稳定运行，并且对元器件的供货周期和兼容性有较高要求，因此在设计阶段会选择像MB814400-80PSZ 这样经过市场验证的成熟器件。
此外，该芯片也被用于网络通信设备，例如路由器、交换机和调制解调器等，用作数据缓冲区或临时存储单元，以支持高速数据包处理。在某些老式打印机、复印机和传真机等办公设备中，也可见到该型号DRAM的身影，用于图像数据缓存或页面渲染处理。
尽管目前该芯片已不再用于新产品设计，但由于其仍在部分老旧设备的维修和替换市场中存在需求，因此依然具有一定的技术支持价值。对于从事逆向工程、设备维护或历史硬件复原的技术人员而言，了解其电气特性和时序参数仍然具有实际意义。
IS41C4256V-80BL
