时间：2025/8/11 6:45:19
阅读：26
EME6600HQ.PQ-100L 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，专为高效率、高性能电源管理系统设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高功率密度应用，例如电源转换器、DC-DC转换器、电动工具、电动车、工业自动化设备以及电池管理系统等。EME6600HQ.PQ-100L 采用PQFN（Power Quad Flat No-leads）封装，具有优异的热性能和紧凑的外形尺寸，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100A（最大值）
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值6.6mΩ（典型值5.5mΩ）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PQFN（5mm x 6mm）
安装类型：表面贴装（SMT）
引脚数：8
热阻（RθJC）：0.4°C/W
EME6600HQ.PQ-100L 具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体能效，这对于需要高效率的电源系统（如DC-DC转换器和电池管理系统）尤为重要。其次，该器件采用PQFN封装，具备出色的热管理能力，能够有效地将热量从芯片传导到PCB，从而提高系统的稳定性和可靠性。此外，PQFN封装的小巧尺寸（5mm x 6mm）非常适合空间受限的应用，如便携式电子设备和电动车控制系统。EME6600HQ.PQ-100L 还具有较高的电流承载能力（ID为100A），能够在高负载条件下稳定运行，适用于高功率密度的电源转换应用。栅极-源极电压（VGS）为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动IC配合使用。此外，该器件的工作温度范围宽（-55°C至150°C），能够适应恶劣的环境条件，适用于工业控制、汽车电子和能源管理系统等领域。最后，EME6600HQ.PQ-100L 的8引脚配置优化了电流路径，降低了寄生电感，从而提高了开关性能并减少了电磁干扰（EMI）。
EME6600HQ.PQ-100L 主要应用于需要高效率、高功率密度和良好热管理能力的电源系统中。它广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电动工具、电动车（如电动自行车和电动滑板车）的电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及储能系统等领域。由于其低导通电阻和高电流能力，EME6600HQ.PQ-100L 在需要高效能和紧凑设计的现代电源系统中表现尤为突出。此外，其PQFN封装的优异散热性能使其成为高功率密度设计中的理想选择。
TPH9R00CQH,TMBS10065,TMBL10065,TPH8R20CNH
