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IXFH14N85X 发布时间 时间:2025/8/6 4:21:30 查看 阅读:19

IXFH14N85X 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高性能电源转换应用,如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和高功率开关电源。该器件采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能,适用于需要高电流和高电压的工况。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压 Vds:850V
  漏极电流 Id:14A(连续)
  栅极阈值电压 Vgs(th):约 4.5V(典型值)
  导通电阻 Rds(on):典型值为 0.55Ω
  最大功耗 Pd:200W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFH14N85X 的主要特性包括高耐压能力和中等电流承载能力,适用于高压功率转换系统。该器件具有较低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其 TO-247 封装提供良好的热管理和机械稳定性,适合在高温环境下运行。
  此外,该 MOSFET具备快速开关特性,适用于高频开关电路,有助于减小外围滤波电路的尺寸。器件内部的沟道设计优化了载流子分布,从而提高了整体的热稳定性和可靠性。同时,其栅极驱动电压设计兼容常见的驱动电路(如 10V 和 12V 驱动电压),便于集成。
  IXFH14N85X 还具有良好的抗雪崩击穿能力和短路耐受能力,增强了器件在极端工作条件下的鲁棒性。这种特性使其非常适合用于工业电源、电机驱动器和不间断电源(UPS)等关键应用中。

应用

IXFH14N85X 广泛应用于各类电力电子系统中,特别是在需要高电压和中高功率的场合。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制电路、光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,该器件也可用于电池管理系统和电动汽车充电设备中的功率转换部分。
  由于其良好的热性能和高频响应能力,IXFH14N85X 也常用于设计高效率的谐振变换器和 LLC 转换器拓扑中。其抗干扰能力和稳定的电气特性使其成为工业和汽车电子领域中常用的功率开关器件。

替代型号

IXFH14N85X 的替代型号包括 IXFH16N85X、IRFPH8520 和 SiHP850ED。

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IXFH14N85X产品

IXFH14N85X参数

  • 现有数量203现货
  • 价格1 : ¥69.48000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)850 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)550 毫欧 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1043 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)460W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3