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MB60513PR-G 发布时间 时间:2025/8/9 0:50:01 查看 阅读:27

MB60513PR-G 是一款由富士通(Fujitsu)推出的功率MOSFET驱动器集成电路,专为高效、高频率的功率转换应用设计。该芯片适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块等需要高效能驱动MOSFET的场合。MB60513PR-G 采用先进的CMOS制造工艺,具有低功耗、高速开关和高可靠性等特点。

参数

封装类型:TSSOP
  电源电压范围:4.5V ~ 18V
  最大输出电流:±1.2A(典型值)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  传输延迟时间:12ns(典型值)
  上升/下降时间:4ns / 3ns(典型值)
  输入逻辑电平兼容:CMOS/TTL
  输出配置:半桥(High-Side + Low-Side)
  静态电流:10μA(典型值)

特性

MB60513PR-G 具备多项先进特性,确保其在高频和高效应用中的卓越性能。
  首先,该芯片采用半桥结构,提供高边和低边MOSFET的驱动能力,适合用于同步整流、电机控制和DC-DC变换器等应用。其输出电流能力高达±1.2A,能够有效驱动大功率MOSFET,减少开关损耗并提高整体效率。
  其次,MB60513PR-G 的传输延迟时间仅为12ns,且上升和下降时间分别为4ns和3ns,使其适用于高频开关环境。这种高速性能有助于减小外部元件的尺寸,提升系统响应速度。
  此外,该器件支持4.5V至18V的宽电源电压范围,适用于多种电源管理系统。其输入逻辑兼容CMOS和TTL标准,简化了与控制器的接口设计。
  芯片内部集成了欠压保护(UVLO)功能,当电源电压低于设定阈值时,驱动器会自动关闭输出,防止MOSFET在非理想条件下工作,从而提高系统的稳定性和可靠性。
  MB60513PR-G 还具备热关断功能,以防止因过热而导致的损坏。当芯片温度超过安全阈值时,内部保护电路会立即切断输出,保护器件免受热应力损伤。
  最后,该IC采用TSSOP封装,具备良好的散热性能和空间利用率,适用于紧凑型设计。

应用

MB60513PR-G 广泛应用于各类需要高效MOSFET驱动的电力电子系统中。其典型应用包括:
  1. DC-DC降压/升压转换器:用于服务器电源、通信设备和工业控制系统中,提供高效的电压转换解决方案。
  2. 电机驱动电路:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、电动工具和机器人控制系统,实现高速、高精度的电机控制。
  3. 电源管理模块:用于笔记本电脑、UPS(不间断电源)和电池管理系统(BMS),实现对MOSFET的高效驱动和功率管理。
  4. 同步整流电路:在开关电源(SMPS)中替代传统二极管整流,显著提升转换效率,降低功耗。
  5. 汽车电子系统:如车载充电器、电机控制器和车身控制系统,满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
  6. 工业自动化设备:如PLC、变频器和伺服驱动器,提供稳定可靠的MOSFET驱动解决方案。
  由于其高速、低功耗和高集成度的特性,MB60513PR-G 成为众多高频率、高性能功率转换应用的理想选择。

替代型号

TC4420, IRS2104, MIC502, LM5114

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