类型：MOS FET继电器（无触点继电器）
　　封装形式：SOP-4
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大值12 Ω
　　输出漏电流（ILEAK）：最大值1 μA（常温下）
　　输出耐压（VOFF）：550 V（AC/DC）
　　负载电流（ON状态）：连续60 mA，峰值120 mA
　　导通时间（tON）：0.3 ms以下
　　关断时间（tOFF）：0.2 ms以下
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：最小100 MΩ（500 VDC）
　　介电强度：输入-输出间5000 Vrms / 1分钟
　　LED波长：近红外区（约940 nm）
　　封装尺寸：约3.7 mm × 6.0 mm × 2.2 mm

G3VM-355JR(TR)的核心优势在于其基于光控MOSFET的固态开关结构，实现了真正的无机械触点操作，从而彻底避免了传统电磁继电器常见的触点磨损、弹跳、氧化等问题，极大提升了系统的长期运行可靠性。该器件在导通状态下呈现低导通电阻特性（典型值仅为8 Ω），有效降低了导通损耗，减少了发热，提高了能量传输效率，特别适用于小信号切换和低功耗控制回路。同时，由于输出端采用一对背对背连接的MOSFET结构，使其能够安全地切断交流和直流负载，具备双向开关能力，扩展了应用场景的灵活性。
　　该继电器具有优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的隔离电压，确保在高压环境下的操作安全性，适用于需强电与弱电隔离的工业控制系统。其快速的开关响应时间（导通<0.3ms，关断<0.2ms）使其能够在高频切换场合稳定工作，如自动测试设备中的信号路由切换、数据采集系统的通道选择等。此外，器件内部集成有LED状态指示功能，通过光电检测电路确保输出状态与输入信号严格同步，增强了控制的精确性与稳定性。
　　在环境适应性方面，G3VM-355JR(TR)具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，不会产生开关瞬态噪声，也不会对外部电路造成干扰，适合用于精密电子系统。其宽工作温度范围（-20°C至+85°C）保证了在恶劣工业环境下的稳定运行。产品采用SOP-4小型化表面贴装封装，节省PCB空间，并支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产。整体设计兼顾高性能、高可靠性与易用性，是现代电子系统中理想的固态开关解决方案。

G3VM-355JR(TR)广泛应用于各类需要电气隔离与信号切换的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O接口单元、传感器信号切换、气动/液压阀控制回路中的低压驱动隔离。在测试与测量设备中，它被用于多路复用器、自动测试仪（ATE）、数据记录仪和示波器前端的信号路径选择，因其低漏电流和高隔离阻抗，可确保测量精度不受影响。
　　在通信设备中，该器件可用于电话交换系统、网络路由器中的线路切换、音频信号通路控制等场合，提供无噪声、无串扰的信号传输路径。医疗电子设备如病人监护仪、诊断仪器中也采用此类继电器，以满足对电气安全和长期稳定性的严苛要求。此外，在办公自动化设备（如复印机、打印机）中，用于加热器控制、电机启停信号隔离等控制功能。
　　由于其支持交直流负载切换且具备高耐压能力，G3VM-355JR(TR)也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电回路隔离、太阳能逆变器中的旁路控制、智能电表的负载开关等电力电子应用。在安防系统中，可用于摄像头云台控制、门禁系统中的锁具驱动隔离等场景。总之，凡是需要长寿命、高可靠性、快速响应和电气隔离的开关控制场合，G3VM-355JR(TR)都是一个理想的选择。

G3VM-355PL(TR)
　　G3VM-455J
　　TLP3558
　　AQY272G
　　PCF211K