时间：2025/6/3 12:42:22
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RT15N0R3B500CT 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，基于先进的沟槽式结构技术。该器件适用于高频开关应用和高效率功率转换场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：58A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：74nC
总电容：1680pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RT15N0R3B500CT 的主要特性包括超低导通电阻 (Rds(on)) 和优化的开关性能，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。此外，它还具备以下特点：
1. 高雪崩能量能力，确保在过载条件下的可靠性。
2. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
3. 极低的输入和输出电容，有助于减少开关延迟时间。
4. 紧凑型 DPAK 封装提高了 PCB 布局灵活性，并支持高效散热管理。
5. 可靠性经过严格的测试验证，满足严苛的工作环境需求。
这款功率 MOSFET 广泛用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动电路、电池保护以及电信和网络电源模块等应用中。由于其出色的电气性能和热稳定性，RT15N0R3B500CT 在需要高效能和高可靠性的场景下表现出色。
RT15N0R3B500SL, IRF540N, FDP55N06L
