型号：MB10131C-G
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-1.9A @ 25°C
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：100mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：360pF @ VDS=15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散（PD）：300mW

MB10131C-G的核心优势在于其优化的沟道设计与先进的制造工艺，使其在P沟道MOSFET产品中表现出卓越的性能平衡。该器件采用了先进的沟槽型MOS结构，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了在导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。特别是在电池供电设备中，低RDS(on)意味着更小的压降和更长的续航时间。此外，该MOSFET的阈值电压范围合理，确保了在低电压控制系统（如3.3V或5V逻辑）下仍能实现可靠的开启与关断操作。其栅极驱动电压兼容性良好，可在-4.5V至-10V范围内稳定工作，同时在-2.5V时仍具备较低的导通电阻，支持低压应用场景。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和可靠性。MB10131C-G的结温最高可达+150°C，配合SOT-23封装良好的散热设计，能够在高密度PCB布局中保持稳定运行。器件内部集成了二极管反向恢复保护功能，可有效防止感性负载切换过程中产生的电压尖峰损坏器件。此外，该MOSFET具备较强的抗静电能力（ESD），HBM模型下典型值可达2000V以上，提升了在自动化装配和现场使用中的鲁棒性。其小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，符合现代电子产品微型化、集成化的趋势。
　　在开关特性方面，MB10131C-G具有较快的开关速度，输入电容和输出电容较小，有利于减少开关延迟和动态损耗，适用于高频开关应用。其漏极电流额定值在常温下可达-1.9A，并随温度升高按热降额曲线逐步降低，确保长期运行的安全性。器件还通过了多项国际质量认证，符合RoHS和无铅焊接标准，适用于绿色环保电子产品设计。总体而言，MB10131C-G是一款兼具高性能、高可靠性和成本效益的理想选择，特别适合用于负载开关、电源路径控制、逆向电流阻断以及电机驱动等电路拓扑中。

MB10131C-G广泛应用于各类需要高效电源控制的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池电源管理，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，用于实现电池与负载之间的通断控制，防止反向充电或过流损坏。此外，它也常用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关配置中，尤其在降压（Buck）转换器中作为上管使用，提供高效的能量传输路径。在负载开关电路中，MB10131C-G可用于控制不同模块的供电，实现节能待机模式或热插拔功能。工业控制领域中，该器件可用于继电器驱动、传感器电源控制和PLC输入输出模块的电源隔离。通信设备如路由器、交换机中也采用此类MOSFET进行板级电源分配管理。另外，由于其良好的ESD防护和温度稳定性，MB10131C-G也适用于汽车电子中的低功率控制电路，如车载信息娱乐系统电源开关。总之，凡涉及低电压、中等电流、高效率开关控制的场合，MB10131C-G均是一个可靠且经济的解决方案。

SI2301-DS-T1-E3
　　FDMC7668
　　AO3401A
　　ZXMP2002GTA
　　CSD17304Q5