时间：2025/6/22 14:02:05
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IRF550APBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件广泛应用于各种高电压、大电流的功率开关场景中，例如电机驱动、开关电源、逆变器和音频放大器等应用。其高击穿电压和低导通电阻特性使其成为许多工业和消费类电子设备的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：36A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总功耗：200W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
IRF550APBF是一款高性能功率MOSFET，具有以下显著特点：
1. 高击穿电压（100V），确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω典型值），减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适用于高频开关应用，降低开关损耗。
4. 较高的连续漏极电流能力（36A），能够承受大电流负载。
5. 支持宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应恶劣环境条件。
6. 稳定的电气性能和机械可靠性，适合长期使用。
IRF550APBF适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 各种类型的DC-DC转换器和逆变器。
4. 音频功率放大器中的输出级开关元件。
5. 继电器和电磁阀驱动电路中的开关组件。
6. 电池管理系统中的保护和控制开关。
IRF550N, IRF550TRPBF
