时间：2025/5/12 19:21:05
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MAU2D2900B 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺设计，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功率损耗并提升系统性能。
MAU2D2900B 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其额定电压和电流使其非常适合在中高功率场景下使用。通过优化的封装设计，这款芯片还具备良好的散热性能，适合长时间连续工作。
最大漏源电压：29V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：140A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
总栅极电荷：85nC
输入电容：3620pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，可支持高频应用，从而减小外部元件尺寸。
3. 高电流承载能力，允许在大负载条件下稳定运行。
4. 增强的热稳定性，能够在极端温度环境下保持性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 提供卓越的雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代
3. 电动工具、家电及工业设备中的电机驱动电路
4. 电池管理系统 (BMS) 的充放电控制
5. 大功率 LED 驱动电路
6. 各种需要高效能功率切换的应用场合
IRF2907ZPBF, FDP18N29L, STP140N2LLH5
