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SI3410DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/9 18:38:22 查看 阅读:6

SI3410DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(现为 Vishay 公司旗下品牌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种高效能开关应用。
  该器件设计用于满足消费电子、工业控制和通信设备中的电源管理需求。其封装形式为表面贴装 TO-263 (DPAK),能够提供良好的散热性能以及坚固的机械结构。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):2.5mΩ
  栅极电荷(典型值):98nC
  输入电容(典型值):1870pF
  功耗:130W
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

SI3410DV-T1-E3 的主要特点是其极低的导通电阻和快速开关能力。它利用先进的 TrenchFET 技术显著降低了导通损耗,并优化了动态性能,使其非常适合高频开关应用。此外,该器件还具有以下优点:
  - 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在高电流应用中实现高效的功率转换。
  - 高额定电流能力,支持高达 38A 的连续漏极电流。
  - 快速开关特性,有助于减少开关损耗并提升整体效率。
  - 小巧的 DPAK 封装提供了出色的热性能,同时易于集成到各种电路板设计中。
  - 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件下的使用需求。

应用

SI3410DV-T1-E3 广泛应用于需要高性能功率开关的场景,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 直流-直流转换器
  - 电机驱动和控制
  - 工业自动化设备
  - 电池管理和保护电路
  - LED 照明驱动
  - 通信基础设施设备中的功率级控制

替代型号

SI3409DS, IRF3710TRPBF, FDP5510N

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SI3410DV-T1-E3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1295pF @ 15V
  • 功率 - 最大4.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)