时间：2025/6/9 18:38:22
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SI3410DV-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种高效能开关应用。
该器件设计用于满足消费电子、工业控制和通信设备中的电源管理需求。其封装形式为表面贴装 TO-263 (DPAK)，能够提供良好的散热性能以及坚固的机械结构。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：98nC
输入电容（典型值）：1870pF
功耗：130W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
SI3410DV-T1-E3 的主要特点是其极低的导通电阻和快速开关能力。它利用先进的 TrenchFET 技术显著降低了导通损耗，并优化了动态性能，使其非常适合高频开关应用。此外，该器件还具有以下优点：
- 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流应用中实现高效的功率转换。
- 高额定电流能力，支持高达 38A 的连续漏极电流。
- 快速开关特性，有助于减少开关损耗并提升整体效率。
- 小巧的 DPAK 封装提供了出色的热性能，同时易于集成到各种电路板设计中。
- 宽泛的工作温度范围，适应多种环境条件下的使用需求。
SI3410DV-T1-E3 广泛应用于需要高性能功率开关的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 电机驱动和控制
- 工业自动化设备
- 电池管理和保护电路
- LED 照明驱动
- 通信基础设施设备中的功率级控制
SI3409DS, IRF3710TRPBF, FDP5510N
