2SK1584 时间：2025/4/28 13:45:21 阅读：4

2SK1584 是一种 N 沱道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），主要用于高频和高功率放大器应用。该晶体管以其高增益、低噪声和高线性度而著称，广泛应用于射频（RF）领域。它适合于需要高性能和稳定性的电路设计，如无线通信设备、雷达系统和其他射频功率放大器。
　　2SK1584 采用 TO-3P 封装形式，便于散热和安装，其引脚分布简单，易于与其他电子元件集成。

参数

最大耗散功率：60W
　　漏源击穿电压：70V
　　栅源击穿电压：±20V
　　漏极饱和电流：12A
　　输入电容：约 1000pF
　　跨导：15S
　　工作频率范围：DC 至 400MHz

特性

2SK1584 属于高质量的射频功率场效应晶体管，具有以下特点：
　　1. 高跨导值确保了较高的增益性能，适用于各种射频放大器电路。
　　2. 低噪声系数使其非常适合要求苛刻的信号处理环境。
　　3. 具备良好的热稳定性，在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
　　4. 支持高效率的能量转换，减少不必要的能量损耗。
　　5. 耐受高电压和大电流的能力强，保证在复杂电路中的可靠性。

应用

2SK1584 广泛应用于以下场景：
　　1. 射频功率放大器的设计与制造，尤其适用于短波和超短波通信系统。
　　2. 作为高频驱动级或末级功放的核心器件，满足无线通信基站的需求。
　　3. 在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中用作功率输出级。
　　4. 雷达系统中的信号发射部分，提供稳定的功率输出。
　　5. 各种业余无线电爱好者项目中，用于构建高性能发射机。