GMC02CG680J50NT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于功率半导体领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够有效散热并适应各种工业级应用场景。
该型号的 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,主要用在需要高效能和快速响应的电路中。通过优化的沟道设计,GMC02CG680J50NT 在高频工作条件下表现出色,同时具有良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:87nC
开关速度:非常快
封装类型:TO-263 (DPAK)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
3. 快速开关特性,适合高频开关电源和逆变器。
4. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。
5. 宽工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
6. 先进的封装技术,提供可靠的电气连接和散热性能。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. 电池管理系统(BMS)
6. 逆变器及 UPS 系统
7. 各种需要高效功率转换的应用场景
GMC02CG680J50N、IRFZ44N、AO3400A