您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GMC02CG680J50NT

GMC02CG680J50NT 发布时间 时间:2025/7/9 18:50:00 查看 阅读:5

GMC02CG680J50NT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于功率半导体领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够有效散热并适应各种工业级应用场景。
  该型号的 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,主要用在需要高效能和快速响应的电路中。通过优化的沟道设计,GMC02CG680J50NT 在高频工作条件下表现出色,同时具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:87nC
  开关速度:非常快
  封装类型:TO-263 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关特性,适合高频开关电源和逆变器。
  4. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。
  5. 宽工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
  6. 先进的封装技术,提供可靠的电气连接和散热性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  4. 工业自动化设备中的功率控制
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 逆变器及 UPS 系统
  7. 各种需要高效功率转换的应用场景

替代型号

GMC02CG680J50N、IRFZ44N、AO3400A