时间：2025/7/9 18:50:00
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GMC02CG680J50NT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于功率半导体领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263（DPAK），能够有效散热并适应各种工业级应用场景。
该型号的 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，主要用在需要高效能和快速响应的电路中。通过优化的沟道设计，GMC02CG680J50NT 在高频工作条件下表现出色，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：87nC
开关速度：非常快
封装类型：TO-263 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关特性，适合高频开关电源和逆变器。
4. 良好的热性能，确保长时间稳定运行。
5. 宽工作温度范围，适应恶劣环境下的使用需求。
6. 先进的封装技术，提供可靠的电气连接和散热性能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. 电池管理系统（BMS）
6. 逆变器及 UPS 系统
7. 各种需要高效功率转换的应用场景
GMC02CG680J50N、IRFZ44N、AO3400A
