时间:2025/12/28 12:51:34
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MADRCC0005TR是一款由MACOM(M/A-Com Technology Solutions)公司生产的高性能射频二极管,具体属于PIN二极管类别。该器件专为高频和微波应用设计,广泛应用于通信系统、雷达、测试测量设备以及宽带射频开关和衰减器电路中。MADRCC0005TR采用先进的半导体工艺制造,具备优异的射频性能和可靠性,能够在宽频率范围内提供稳定的阻抗匹配和低插入损耗。该器件封装在小型化的表面贴装封装(SMD)中,便于在高密度印刷电路板上进行自动化组装,适用于现代紧凑型电子设备的设计需求。其名称中的'TR'通常表示该器件是以卷带(Tape and Reel)形式供应,适合大规模自动化贴片生产。作为一款高频PIN二极管,MADRCC0005TR在正向偏置时表现出低电阻特性,而在反向偏置时则呈现接近开路的状态,这种可控的阻抗变化使其成为射频开关和可变衰减器中的关键元件。此外,该器件具有良好的热稳定性和长期工作可靠性,能够在严苛的环境条件下保持性能稳定,是工业级和商业级射频系统中的理想选择之一。
类型:PIN二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):100 V
最大直流阻断电压(VR):100 V
最大均方根电压(VRMS):70 V
最大正向电流(IF):200 mA
最大功耗(PD):200 mW
结温(Tj):175 °C
存储温度范围(Tstg):-65 °C 至 +175 °C
电容(CT):0.38 pF(典型值,@ 1 MHz, VR = 0 V)
串联电阻(RS):0.8 Ω(典型值,@ IF = 10 mA)
反向恢复时间(trr):未定义(PIN二极管特性)
封装类型:SOD-323
MADRCC0005TR PIN二极管具备卓越的高频性能,其核心优势在于极低的结电容和串联电阻,这使得它在高频信号路径中能够实现最小的插入损耗和优异的隔离度。该器件在1 MHz偏置条件下的典型结电容仅为0.38 pF,这一数值在同类小型化PIN二极管中处于领先水平,确保了在GHz频段下仍能维持良好的阻抗匹配特性,减少信号反射和失真。同时,其串联电阻典型值为0.8 Ω,在正向导通状态下可有效降低功率损耗,提升整体系统效率。这种低RS与低CT的组合特别适用于构建高性能射频开关,尤其是在需要快速切换和高线性度的应用场景中表现突出。
该器件采用SOD-323封装,体积小巧,尺寸约为1.7 mm x 1.25 mm x 1.1 mm,非常适合空间受限的便携式通信设备和高集成度射频模块。尽管尺寸小,但其热设计经过优化,可在高达175°C的结温下安全运行,展现出出色的热稳定性。此外,MADRCC0005TR具有良好的ESD(静电放电)耐受能力,提升了在生产和使用过程中的可靠性。其材料符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造要求。
在动态响应方面,虽然PIN二极管不强调反向恢复时间,但MADRCC0005TR通过精确控制I层载流子寿命,实现了较快的开关速度,适用于中等速率的射频调制和脉冲应用。其宽泛的偏置工作范围允许灵活的驱动电路设计,兼容多种逻辑电平和电源配置。总体而言,MADRCC0005TR凭借其小型化、高性能和高可靠性,成为无线基础设施、卫星通信、国防电子和测试仪器等领域中不可或缺的关键元器件。
MADRCC0005TR广泛应用于各类高频和微波电子系统中,尤其适合作为射频开关的核心组件,用于在不同天线、滤波器或放大器之间切换信号路径,常见于蜂窝基站、Wi-Fi接入点和毫米波通信设备。此外,它也常被用作可变衰减器中的控制元件,通过调节偏置电流来改变射频信号的传输损耗,实现自动增益控制(AGC)功能。在雷达和电子战系统中,该器件可用于构建快速响应的收发开关(T/R Switch),保护接收机免受高功率发射信号的损坏。测试与测量仪器如矢量网络分析仪(VNA)和频谱仪也采用此类高性能PIN二极管以确保信号路径的精确切换和低失真传输。此外,MADRCC0005TR还可用于光纤通信系统的射频前端、卫星通信终端以及航空航天电子设备中,满足对高频率、高稳定性和长寿命的严苛要求。
MADRC-009675TR
MADRC-009740TR
HSMP-3814-BLKG
SMS7630LCDB