类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TSSOP
　　最大漏极电流（ID）：300 mA
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5 Ω（典型值）
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

BS108(PRFMD) MOSFET的主要特性包括其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高效率。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频应用，如DC-DC转换器和负载开关。其TSSOP封装提供了较小的PCB占位面积，并改善了热管理性能。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至15V之间的操作，这使得它可以与多种类型的控制器和驱动器兼容。此外，BS108(PRFMD)具有较高的耐用性，能够承受一定的过载和瞬态条件，确保了在复杂电路环境中的可靠性。
　　器件还具备良好的静电放电（ESD）保护能力，防止在操作过程中受到静电损害。这种MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss），有助于减少高频开关时的驱动损耗，提高系统的整体效率。这些特性共同使得BS108(PRFMD)成为一种适用于多种电子设计的高效能解决方案。

BS108(PRFMD) MOSFET主要应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。此外，它还可以用于电池供电设备中的负载开关、DC-DC转换器和逻辑电平转换器。由于其高频开关能力和低导通电阻，该器件也适合用于小型电机控制、LED照明驱动以及传感器接口电路。在工业自动化和消费类电子产品中，BS108(PRFMD)也常用于实现高效的电源管理和能量转换。

BS107(PRFMD), 2N7002, FDV301N