容量：8Mbit（1M × 8）
　　存储架构：NOR Flash
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：8-SOIC 或 8-WSON
　　接口类型：SPI（串行外设接口），支持Mode 0和Mode 3
　　时钟频率：最高支持66MHz
　　读取电流：典型值8mA（在66MHz时）
　　待机电流：典型值1μA
　　编程/擦除耐久性：100,000次循环
　　数据保持时间：超过20年
　　写保护功能：支持软件与硬件写保护（WP#引脚）
　　擦除方式：按扇区（4KB）、按块（64KB）和整片擦除
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压

M50FLW080AN5G具备高性能的串行NOR Flash特性，专为高可靠性与高效能的嵌入式系统设计。其核心优势在于支持高速SPI接口，最高可达66MHz的时钟频率，使得指令和数据的传输效率显著提升，尤其适用于需要快速启动或频繁读取代码的应用场景，例如Bootloader存储或实时操作系统加载。该芯片采用先进的浮栅技术，确保了数据的长期稳定存储，典型数据保持时间超过20年，即使在恶劣环境条件下也能维持完整性。
　　器件内部集成了完整的控制逻辑，支持标准SPI指令集，包括读取、编程、擦除、写使能、写禁止、状态寄存器读取等，用户可通过简单的命令实现复杂的存储管理操作。状态寄存器提供忙标志、写保护状态、块锁定配置等关键信息，便于主机系统进行实时监控与控制。此外，M50FLW080AN5G具备灵活的保护机制，支持通过WP#引脚实现硬件写保护，也可通过软件指令锁定特定地址区域，有效防止意外修改或恶意篡改，增强系统安全性。
　　该芯片在低功耗设计方面表现优异，正常读取电流仅为8mA左右，而在待机或掉电模式下，电流可低至1μA，极大延长了电池供电设备的工作时间。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其能够在工业级环境中稳定运行，适应高温、低温等复杂工况。封装方面，8-SOIC和8-WSON两种选项兼顾了传统贴装工艺与小型化设计需求，特别适合对空间敏感的便携式设备或高密度PCB布局。
　　值得一提的是，M50FLW080AN5G具备良好的ESD防护能力（HBM模型超过4kV），并符合工业级可靠性标准，经过严格的生产测试，确保每颗芯片都具有高度一致性和稳定性。同时，该器件支持JEDEC标准的制造商和设备ID读取，方便系统识别和固件兼容性管理。整体而言，M50FLW080AN5G是一款集高速、低功耗、高可靠性和易用性于一体的串行Flash解决方案，适合多种中低端嵌入式存储需求。

M50FLW080AN5G广泛应用于各类需要非易失性代码存储的嵌入式系统中。常见用途包括作为微控制器单元（MCU）的外部程序存储器，用于存放启动代码（Boot Code）、固件（Firmware）或操作系统映像，尤其适用于无法集成大容量片上Flash的MCU系统。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC控制器、传感器模块和HMI人机界面设备中，存储配置参数、校准数据或用户设置。
　　在消费类电子产品中，如智能家居设备、路由器、机顶盒和可穿戴设备，M50FLW080AN5G可用于存储UI资源、语音提示文件或设备驱动程序。由于其支持快速随机读取，特别适合需要快速响应的应用场景。在网络通信设备中，如交换机、光模块和IoT网关，该芯片常用于存储MAC地址、加密密钥或网络配置信息，保障设备的正常初始化和安全认证。
　　在汽车电子方面，尽管该型号并非AEC-Q100认证器件，但仍可用于部分车载信息娱乐系统的辅助存储或后装市场设备中，如行车记录仪、车载导航模块等，用于存储启动画面、地图缓存或日志文件。此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等对数据可靠性要求较高的场合，M50FLW080AN5G也因其长期数据保持能力和写保护功能而被广泛采用。总之，凡是需要小体积、低功耗、高可靠性的串行代码存储方案，M50FLW080AN5G都是一个理想选择。

M25P80-VMN6P
　　N25Q08A13BSF40F
　　S25FL108K