频率范围：0.1 MHz 至 18 GHz
　　最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：10 V
　　典型电容（反偏）：0.15 pF
　　热电阻（Rth）：150 °C/W
　　工作温度范围：-55 °C 至 +125 °C
　　封装类型：SOT-23

MA4P504-186 具有多个关键特性，使其在射频应用中表现出色。首先，其高频性能卓越，工作频率可覆盖至18 GHz，适用于大多数射频和微波通信系统。其次，该二极管的典型反偏电容仅为0.15 pF，这意味着它在高频下具有较低的寄生电容，有助于降低信号损耗并提高开关速度。此外，MA4P504-186 的封装设计紧凑（SOT-23），适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性，能够在极端温度环境下可靠运行。该器件的正向电流额定值为100 mA，反向电压为10 V，具备较高的功率承受能力，适用于中等功率的射频控制应用。
　　此外，MA4P504-186 的制造工艺采用了高质量的半导体材料，确保了器件的长期稳定性和低失效率，适用于对可靠性要求极高的工业和军事应用。其低插入损耗和高隔离度特性也使其在射频开关电路中表现出色，能够有效提升系统的整体性能。

MA4P504-186 广泛应用于多种射频和微波电子系统中。常见应用包括射频开关、可变衰减器、调制器、混频器和射频信号路由控制等。该器件特别适合用于无线通信基础设施，如基站和射频前端模块，以实现高效的信号切换和功率控制。在测试测量设备中，MA4P504-186 常用于构建高性能的射频开关矩阵，以支持多种频率范围的自动测试。此外，由于其优异的高频特性和高可靠性，它也广泛应用于航空航天和国防领域的雷达系统、导航设备和卫星通信系统中。

HMC470MS8C, BAR-24+, MA4P504-185