时间：2025/8/28 22:02:30
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PQ1M335M2SPQ 是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场合。该器件采用高性能硅技术，提供了优良的热稳定性和电流承载能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：5.6A
漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.225Ω（最大值）
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP
PQ1M335M2SPQ MOSFET具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的耐压能力（Vds为100V），使其能够适用于中高压电源转换系统。此外，PQ1M335M2SPQ采用了SOP封装形式，有助于提高装配效率并节省PCB空间。
在热性能方面，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下可靠运行，且其最大功率耗散为2.5W，支持在较高负载条件下稳定工作。栅极驱动电压范围为±20V，适用于常见的驱动电路设计，具备较强的兼容性和灵活性。
此外，该器件还具备较快的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。其结构设计优化了开关损耗，同时降低了电磁干扰（EMI），从而提升系统的整体性能和可靠性。
PQ1M335M2SPQ MOSFET适用于多种电子设备和系统，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、电池充电电路、电机驱动电路、工业控制设备、负载开关电路、LED照明驱动模块以及各类便携式电子设备中的功率开关元件。该器件的高可靠性和优异性能使其成为工业、消费电子和汽车电子等领域中的理想选择。
Si2302DS, AO3400, FDN340P, NTD14N10L, FQP12N10L
