类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：160V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：54A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-220
　　极数：3（漏极、栅极、源极）

TP16N54P281 的核心优势在于其优异的导通性能和热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，从而提升了整体能效，适用于高功率密度设计。该MOSFET采用东芝专有的U-MOS VIII-H沟槽工艺技术，使得在高电流下仍保持较低的饱和电压，进一步优化了功率性能。
　　此外，该器件具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达160V，适合在高压系统中使用。其栅极设计允许±20V的栅源电压，增强了抗电压波动能力，提高了系统稳定性。
　　在封装方面，TP16N54P281 采用标准的TO-220封装，便于散热和安装，适用于通孔焊接工艺。该封装形式在工业级应用中广泛使用，具有良好的机械强度和热管理能力。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流，从而提升系统的可靠性。其快速开关特性使其适用于高频PWM控制，广泛应用于DC-DC转换器、马达驱动器、电源管理系统等领域。

TP16N54P281 主要应用于各类高功率电子设备中，如工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统、太阳能逆变器、电动工具和电动车控制器等。其低导通电阻和高耐压特性也使其适用于开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）系统。此外，在电机控制和功率因数校正（PFC）电路中，该器件也表现出良好的性能，适用于多种工业自动化与能源管理系统。

TK16N54D, IRF16N54NPBF, FDP16N54NS