HN58X2432TI 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于异步SRAM类别,具有256K位(32K x 8)的存储容量,适用于需要快速数据访问和可靠存储的嵌入式系统和工业控制应用。
容量:256Kbit (32K x 8)
电压:2.3V ~ 3.6V
访问时间:55ns/70ns
封装:48-TSOP
接口:异步
工作温度:-40°C ~ +85°C
封装尺寸:18.4mm x 12.0mm
HN58X2432TI 具备高速访问能力,其访问时间可低至55ns,适用于对时间敏感的实时系统。芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电设备使用。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)增强了适应不同电源管理方案的灵活性。
该SRAM芯片支持异步接口,能够与多种微控制器或嵌入式系统兼容,便于系统设计和集成。其宽温范围(-40°C至+85°C)确保在恶劣工业环境中仍能稳定运行。芯片采用48引脚TSOP封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。
另外,HN58X2432TI具备高可靠性和抗干扰能力,支持数据保持模式以在低功耗状态下维持存储内容。其设计符合工业级标准,广泛用于工业自动化、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中。
HN58X2432TI 常用于需要高速数据存储的嵌入式系统,例如工业控制器、网络设备、通信模块、测试仪器和汽车电子模块。由于其低功耗和高速特性,也可用于手持设备、智能卡读卡器、图像处理模块等对性能和功耗都有要求的应用场景。
IS62WV2568ALLBLL-55NLI, CY62148EVLL, IDT71V433S, A2B514A, MB84LV2568A-70