MA2Z11300L是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和稳定性。其封装形式通常为TO-220或DPAK,便于散热和安装。
这款功率MOSFET支持N沟道配置,适用于多种电子电路设计场景,特别是在需要高效能转换的应用中表现优异。
最大漏源电压:1300V
连续漏极电流:1.6A
导通电阻:2.5Ω
栅极电荷:45nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+175℃
MA2Z11300L具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻设计,降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
4. 支持宽范围的工作温度,适应各种恶劣环境。
5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
6. 良好的热稳定性和可靠性,延长使用寿命。
MA2Z11300L适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电机驱动控制电路。
3. 工业设备中的负载开关。
4. 不间断电源(UPS)系统。
5. LED照明驱动电路。
6. 逆变器和太阳能逆变系统。
7. 各种高压电子设备的功率管理模块。
IRFP250N, STP16NE120, FQA16N120E