IXTH10N80 时间：2025/8/5 21:23:30 阅读：9

IXTH10N80 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高频率和高效率的开关应用设计，广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及电池管理系统中。IXTH10N80 采用 TO-220 封装，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　漏极电流（ID）：10 A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65 Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：125 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

IXTH10N80 是一款高性能的功率 MOSFET，具有多种优良的电气和热性能。其主要特性之一是高耐压能力，漏源击穿电压高达 800 V，使其适用于高压电源转换应用。此外，该器件的导通电阻较低，最大为 0.65 Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　该 MOSFET 采用先进的平面技术制造，具有良好的热稳定性和抗过载能力。其连续漏极电流可达 10 A，并且在脉冲工作条件下可承受更高的电流。IXTH10N80 的栅极驱动电压范围较宽，可在 ±30 V 内正常工作，提高了其在不同控制电路中的兼容性。
　　TO-220 封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用，适用于多种 PCB 布局。该器件内置快速恢复二极管特性，有助于减少反向恢复损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
　　在可靠性方面，IXTH10N80 通过了严格的工业标准测试，能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、通信电源、LED 驱动、电机控制等多种高可靠性要求的场合。

应用

IXTH10N80 广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在需要高压、高频开关性能的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、LED 照明驱动电路以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于逆变器、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）电路中。