MA0402XR103M100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。该芯片采用先进的制造工艺设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高效率、高频应用场合。其封装形式紧凑,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。这款芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
型号:MA0402XR103M100
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):2A
导通电阻(Rds(on)):10mΩ
总功耗(Ptot):1.6W
结温范围(Tj):-55℃ to +150℃
封装形式:SOT-23
MA0402XR103M100 具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:其 Rds(on)仅为 10mΩ,有助于降低导通损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能:该芯片具备快速开关能力,能够有效减少开关损耗,适合高频应用。
3. 小型封装:采用 SOT-23 封装,体积小巧,易于集成到空间受限的设计中。
4. 热稳定性强:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛的工作环境。
5. 高可靠性:通过严格的测试和验证流程,确保在长时间使用中的稳定性和可靠性。
MA0402XR103M100 可应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于实现高效的电源转换和管理。
2. 电机驱动:适用于小功率直流电机或步进电机的驱动控制。
3. DC-DC 转换器:作为功率开关元件,提升转换效率。
4. 电池管理系统(BMS):用于保护电路和负载切换。
5. 消费类电子产品:如充电器、适配器等需要高效功率转换的场景。
MA0402XR102M100
IRLZ44N
FDP5802
AON7912