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1ED3491MU12M 发布时间 时间:2025/8/28 21:57:57 查看 阅读:15

1ED3491MU12M 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能隔离式单通道IGBT(绝缘栅双极型晶体管)栅极驱动器芯片,专为工业功率电子应用设计,例如电机控制、逆变器和功率转换系统。该芯片基于英飞凌的可靠驱动技术,提供高驱动能力和增强的隔离性能,适用于高电压和高频率工作环境。1ED3491MU12M 采用紧凑型SSO封装,支持表面贴装工艺,适用于各种功率模块的驱动需求。

参数

供电电压:20 V最大(推荐15 V至18 V)
  输出驱动电流:+4 A / -6 A(峰值)
  输入逻辑类型:兼容CMOS/TTL
  隔离电压:5000 VRMS(符合UL、VDE标准)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  短路保护响应时间:<1.5 μs
  传播延迟:130 ns(典型值)
  上升/下降时间:10 ns / 8 ns(典型值)

特性

1ED3491MU12M具备多项先进的技术特性,确保其在复杂工业环境中的可靠性和稳定性。
  首先,该芯片内置了增强型电气隔离技术,支持高达5000 VRMS的隔离电压,满足工业设备对安全性和抗干扰的严格要求,同时符合UL、CSA和VDE等国际标准。
  其次,该驱动器提供快速的开关性能,具有130 ns的典型传播延迟以及10 ns(上升)和8 ns(下降)的开关时间,能够支持高频功率转换应用,减少开关损耗并提高系统效率。
  1ED3491MU12M 还集成了丰富的保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、短路保护(DESAT检测)以及故障反馈机制。当检测到异常情况时,芯片能够快速关闭输出并发送故障信号,防止功率器件损坏,提高系统的安全性与可靠性。
  此外,该芯片采用紧凑型SSO-8封装,支持表面贴装技术(SMD),适用于自动化生产流程,并具有良好的热管理和抗电磁干扰(EMI)能力。
  最后,1ED3491MU12M 的输入端支持CMOS/TTL电平兼容,便于与控制器(如DSP、MCU或FPGA)连接,简化了系统设计并提高了灵活性。

应用

1ED3491MU12M广泛应用于多种高功率电子系统中,特别适用于需要高效驱动IGBT或MOSFET的场合。其典型应用包括工业电机驱动、伺服控制器、逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。由于其具备高隔离耐压和快速响应能力,该芯片在需要电气隔离和高可靠性的工业自动化设备中也得到了广泛应用。此外,它还适用于模块化功率系统和智能功率模块(IPM)的集成设计。

替代型号

1ED3491BU12M, 1ED3491MU12FXUMA1, 2ED300C17-S

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