时间：2025/8/6 4:54:34
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IXTV102N25T是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率电子设备中，例如电源供应器、电机控制和逆变器等。这款MOSFET以其高耐压、低导通电阻和优异的热性能而著称，适用于要求高效率和可靠性的工业和汽车应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：250V
漏极电流(Id)：100A（最大）
导通电阻(Rds(on))：最大25mΩ
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247AC
功率耗散(Pd)：400W（最大）
IXTV102N25T的主要特性包括其高电压和高电流能力，能够承受严苛的工作条件。该器件采用先进的平面技术，提供了卓越的导通性能和开关性能。它的低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，从而提高系统的可靠性和寿命。器件还具有较高的抗雪崩能力，适用于需要高能量承受能力的应用场景。
在封装方面，TO-247AC封装提供了良好的散热性能和机械强度，适合高功率应用。该封装还便于安装在散热器上，以进一步提高散热效果。此外，IXTV102N25T的设计优化了高频开关性能，使其适用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等高频应用。这些特性使得IXTV102N25T成为一款适用于多种高功率应用的高性能MOSFET器件。
IXTV102N25T常用于各种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制器和不间断电源（UPS）。由于其高效率和可靠性，它也适用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和太阳能逆变器。在汽车应用中，该器件可用于车载充电器和动力总成系统。此外，它还可用于焊接设备、电镀电源和高频感应加热装置等高功率应用。该MOSFET的高耐压和低导通电阻特性使其成为需要高效能功率管理的首选器件。
IXFN100N25T, IXFH100N25T
