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AON7422E 发布时间 时间:2025/4/27 9:13:51 查看 阅读:4

AON7422E是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET,采用先进的制程工艺制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用场合。其封装形式为SOT-23-3L,小巧的体积使其非常适合空间受限的设计。

参数

型号:AON7422E
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:SOT-23-3L
  Vds(漏源电压):30V
  Vgs(栅源电压):±20V
  Rds(on)(导通电阻,典型值@Vgs=4.5V):160mΩ
  Id(连续漏极电流):2.8A
  Qg(总栅极电荷):6nC
  fT(特征频率):92MHz
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

AON7422E具备卓越的电气性能和可靠性。
  1. 低导通电阻(Rds(on))有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力使得它非常适合高频开关应用。
  3. 小型化SOT-23-3L封装便于在紧凑型设计中使用。
  4. 宽工作温度范围确保其能在极端条件下稳定运行。
  5. ±20V的高栅源电压耐受能力增强了其抗干扰性能。
  6. 高可靠性和长寿命,适用于各种工业和消费类电子产品。

应用

AON7422E广泛应用于以下领域:
  1. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
  2. 开关电源(SMPS)中的同步整流和DC-DC转换器。
  3. 消费电子产品的电池管理电路。
  4. 工业自动化控制中的信号切换。
  5. LED驱动电路中的功率调节元件。
  6. 各种需要高性能、低功耗开关的应用场景。

替代型号

AON7423G, AON7442G

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AON7422E参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点*
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2940pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装带卷 (TR)