AON7422E是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET,采用先进的制程工艺制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用场合。其封装形式为SOT-23-3L,小巧的体积使其非常适合空间受限的设计。
型号:AON7422E
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:SOT-23-3L
Vds(漏源电压):30V
Vgs(栅源电压):±20V
Rds(on)(导通电阻,典型值@Vgs=4.5V):160mΩ
Id(连续漏极电流):2.8A
Qg(总栅极电荷):6nC
fT(特征频率):92MHz
工作温度范围:-55℃ to +150℃
AON7422E具备卓越的电气性能和可靠性。
1. 低导通电阻(Rds(on))有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力使得它非常适合高频开关应用。
3. 小型化SOT-23-3L封装便于在紧凑型设计中使用。
4. 宽工作温度范围确保其能在极端条件下稳定运行。
5. ±20V的高栅源电压耐受能力增强了其抗干扰性能。
6. 高可靠性和长寿命,适用于各种工业和消费类电子产品。
AON7422E广泛应用于以下领域:
1. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
2. 开关电源(SMPS)中的同步整流和DC-DC转换器。
3. 消费电子产品的电池管理电路。
4. 工业自动化控制中的信号切换。
5. LED驱动电路中的功率调节元件。
6. 各种需要高性能、低功耗开关的应用场景。
AON7423G, AON7442G