GW39NC60VD 时间：2025/7/23 7:59:09 阅读：6

GW39NC60VD 是一款由 Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）推出的高集成度、低功耗的 MOSFET 驱动器芯片，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、H桥驱动等领域。该器件采用高性能模拟工艺制造，具备较强的抗干扰能力和稳定性，适用于中高功率的开关电源系统。

参数

类型：MOSFET 驱动器
　　封装类型：SOIC-8
　　电源电压范围：4.5V 至 20V
　　输出电流（峰值）：0.35A（典型值）
　　传播延迟时间：20ns（典型值）
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　驱动能力：高边和低边独立驱动
　　封装形式：8引脚 SOIC
　　输入电压阈值：1.4V（典型值）

特性

GW39NC60VD 是一款双通道、非反相、高频 MOSFET 驱动器，专为同步整流和半桥结构设计。其内部结构由高速比较器和推挽输出电路组成，能够快速驱动高边和低边的功率 MOSFET。该芯片具备较强的抗噪声能力，支持高达 500kHz 的开关频率，适用于各种高效率 DC-DC 转换器和马达驱动系统。
　　该器件的输入端支持 TTL 和 CMOS 逻辑电平，使其能够与多种控制器（如 PWM 控制器或微控制器）兼容。其驱动电压范围宽，从 4.5V 到 20V 均可正常工作，适用于多种电源拓扑结构。
　　内置的死区时间控制机制可以有效防止上下桥臂同时导通，从而避免直通电流的发生。此外，该芯片具有较低的静态功耗，适合用于电池供电设备或低功耗系统中。
　　GW39NC60VD 还具备较强的抗闩锁能力，能够在高 di/dt 环境下稳定工作。其输出端具有短路保护和过温保护功能，提升了系统可靠性。该芯片在工业控制、电源模块、电机驱动、LED 照明驱动等领域均有广泛应用。

应用

GW39NC60VD 主要用于需要驱动两个 N 沟道 MOSFET 的半桥或同步整流电路中。典型应用包括：DC-DC 转换器、电机驱动器、H 桥电路、LED 灯具驱动电源、电源管理模块、UPS 不间断电源系统、电池充电器等。该芯片特别适合需要高频工作的场合，如 LLC 谐振变换器、ZVS/ZCS 软开关电源等拓扑结构。其高抗干扰能力和宽电压输入范围，也使其广泛应用于车载电子系统和工业自动化设备中。