MA0402CG681K500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,适用于高频、高功率的应用场景。该芯片采用了先进的封装技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电源转换效率并减少能量损耗。
其主要应用领域包括开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变器以及电动汽车充电设备等。此外,它还支持多种保护功能,如过流保护、过温保护等,从而提升了系统的可靠性和安全性。
型号:MA0402CG681K500
类型:GaN 功率晶体管
最大漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):68mΩ
栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):2530pF
输出电容(Coss):95pF
反向恢复时间(trr):80ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-4L
MA0402CG681K500 的核心特性在于其利用了氮化镓材料的优异性能。相比传统的硅基MOSFET,这款器件具备更低的导通电阻和更小的寄生电容,从而实现更高的开关频率和更低的能量损耗。
另外,由于其内置了多重保护机制,能够在极端条件下保持稳定运行,这使其非常适合需要高性能和高可靠性的工业及汽车应用环境。此外,该芯片采用标准的TO-247-4L封装,便于安装与散热设计,简化了整体系统集成过程。
该芯片广泛应用于各类高频高效能电力电子设备中,具体包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS):在数据中心服务器和通信基站中提供高效的电源管理。
2. DC-DC转换器:用于电动车车载充电器或储能系统的能量转换。
3. 光伏逆变器:提升太阳能发电系统的效率。
4. 电机驱动:在工业自动化设备中实现精确控制和节能效果。
5. 快速充电器:为消费类电子产品提供更高功率密度的充电解决方案。
GA30N65T4,
NTHL020N06S5,
STGG060N06HP,
FDMC8006,
IXGH60N65T2