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MA0402CG681K500 发布时间 时间:2025/7/10 1:26:18 查看 阅读:13

MA0402CG681K500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,适用于高频、高功率的应用场景。该芯片采用了先进的封装技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电源转换效率并减少能量损耗。
  其主要应用领域包括开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变器以及电动汽车充电设备等。此外,它还支持多种保护功能,如过流保护、过温保护等,从而提升了系统的可靠性和安全性。

参数

型号:MA0402CG681K500
  类型:GaN 功率晶体管
  最大漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):68mΩ
  栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):2530pF
  输出电容(Coss):95pF
  反向恢复时间(trr):80ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

MA0402CG681K500 的核心特性在于其利用了氮化镓材料的优异性能。相比传统的硅基MOSFET,这款器件具备更低的导通电阻和更小的寄生电容,从而实现更高的开关频率和更低的能量损耗。
  另外,由于其内置了多重保护机制,能够在极端条件下保持稳定运行,这使其非常适合需要高性能和高可靠性的工业及汽车应用环境。此外,该芯片采用标准的TO-247-4L封装,便于安装与散热设计,简化了整体系统集成过程。

应用

该芯片广泛应用于各类高频高效能电力电子设备中,具体包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS):在数据中心服务器和通信基站中提供高效的电源管理。
  2. DC-DC转换器:用于电动车车载充电器或储能系统的能量转换。
  3. 光伏逆变器:提升太阳能发电系统的效率。
  4. 电机驱动:在工业自动化设备中实现精确控制和节能效果。
  5. 快速充电器:为消费类电子产品提供更高功率密度的充电解决方案。

替代型号

GA30N65T4,
  NTHL020N06S5,
  STGG060N06HP,
  FDMC8006,
  IXGH60N65T2

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