类型：NPN射频功率晶体管
　　工作频率范围：DC 至 1 GHz
　　输出功率：最大可达 125 W（在225 MHz）
　　电源电压：建议工作电压为 28 V
　　增益：典型值为 10 dB（在225 MHz）
　　效率：典型效率为 60% 左右
　　封装类型：TO-3P（金属封装）
　　热阻：结到壳热阻（Rth-jc）约为 0.67 °C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

MRF286C 是一款性能稳定的射频功率晶体管，适用于各种高功率射频放大器设计。该器件具有较高的输出功率能力，在225 MHz频率下可提供高达125 W的输出功率，适合需要高线性度的放大应用。
　　其典型增益为10 dB，确保了在有限的电路级数下实现高效放大。同时，该晶体管具备较高的效率（典型值60%），有助于减少功耗并提升系统整体能效。
　　MRF286C采用TO-3P金属封装，具有良好的热管理和散热性能，适用于连续波（CW）或脉冲操作模式。该封装形式也有助于提高器件在高功率工作状态下的稳定性和可靠性。
　　此外，MRF286C能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（-65°C至+150°C），适应多种环境条件，增强了其在不同应用中的适应性。该晶体管还具备良好的抗失真能力，适用于对信号质量要求较高的通信和广播设备。

MRF286C 主要用于射频功率放大器的设计，广泛应用于多个领域。其中包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子体发生器等。
　　在通信系统中，MRF286C可用于射频发射机的末级功率放大器，支持广播电台、无线中继设备以及测试测量仪器的射频信号放大。
　　此外，该晶体管也常用于射频测试设备中，作为高功率信号源的一部分，支持无线通信模块的测试与校准。
　　由于其良好的线性度和高效率，MRF286C还适用于多频段或多标准通信系统的功率放大模块设计，能够满足不同制式和频段下的射频放大需求。

MRF286CD, MRF284C, MRF281S, BLF278