MA0402CG680J100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
该器件具有 N 沟道增强型结构,能够在高频应用中提供高效的功率转换。其封装形式为行业标准类型,便于设计集成到各种电路系统中。
型号:MA0402CG680J100
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:650V
额定电流:32A
导通电阻:40mΩ(典型值)
栅极电荷:45nC(最大值)
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
MA0402CG680J100 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高整体效率。
2. 高额定电压和大电流承载能力,适用于高压和大功率应用场景。
3. 快速开关速度,能够显著减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的工作性能。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 内置静电防护设计,增强了芯片的抗干扰能力。
该芯片可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 工业自动化控制和变频器。
5. 汽车电子系统,如启动电机、空调压缩机等。
6. 任何需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFP460, FQP19N65C, STW96N65M5