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CMP201209UD1R0MT 发布时间 时间:2025/5/7 23:03:35 查看 阅读:7

CMP201209UD1R0MT 是一款由 Cissoid 公司生产的高性能功率半导体模块,主要用于高温和高功率密度的应用场景。该模块采用了先进的 SiC MOSFET 技术,能够在极端温度条件下保持高效、稳定的工作状态。它适用于汽车电子、工业驱动、可再生能源系统等领域,特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
  此模块的封装形式为 DBC(直接键合铜),具有出色的热管理和电气性能,同时其紧凑的设计使得它非常适合空间受限的环境。此外,CMP201209UD1R0MT 的设计充分考虑了高温操作的需求,支持高达 175°C 的结温工作。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:20A
  导通电阻:1.0mΩ
  最大工作温度:175°C
  开关频率:最高可达 100kHz
  封装类型:DBC
  绝缘耐压:2500Vrms
  栅极电荷:30nC

特性

CMP201209UD1R0MT 模块具备多项显著优势,包括高效率、低损耗和卓越的热管理能力。SiC MOSFET 的使用大幅降低了开关损耗和导通损耗,从而提升了整体系统的效率。此外,该模块在高温条件下的稳定性也是一大亮点,能够满足极端环境下的工作需求。
  DBC 封装技术不仅提高了散热性能,还增强了机械强度和可靠性。模块内部集成的保护功能进一步提升了产品的安全性,例如过流保护和短路保护等。这些特性使得 CMP201209UD1R0MT 成为电动汽车逆变器、光伏逆变器以及其他高功率密度应用的理想选择。

应用

CMP201209UD1R0MT 主要应用于以下领域:
  1. 电动汽车动力系统,如电机控制器和 DC-DC 转换器。
  2. 工业自动化设备中的高频开关电源和变频器。
  3. 可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能转换系统。
  4. 高效 AC-DC 和 DC-AC 转换器。
  5. 任何需要高功率密度和高温操作的电力电子设备。
  凭借其优异的性能,该模块能够在各种复杂工况下提供可靠的解决方案,同时降低系统的整体能耗。

替代型号

CMP181209UD1R0MT, CMP251209UD1R0MT

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