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MBRS1100TRPBF 发布时间 时间:2025/12/26 18:29:19 查看 阅读:10

MBRS1100TRPBF是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理电路中。该器件采用表面贴装封装技术(SMA),具有紧凑的外形尺寸,适合在空间受限的应用环境中使用。MBRS1100TRPBF的核心优势在于其低正向电压降和快速开关特性,这使其在高频整流、反向极性保护以及DC-DC转换器等应用中表现出色。该二极管的额定平均正向整流电流为1A,在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现。此外,MBRS1100TRPBF符合RoHS标准,并且通过了无铅认证(Lead-Free),适用于现代绿色电子产品制造流程。由于采用了肖特基势垒结构,该器件相较于传统的PN结二极管具有更低的导通损耗和更高的工作效率,特别适合用于便携式设备、电池供电系统及节能型电源设计中。
  该器件的工作结温范围通常为-65°C至+125°C,能够在恶劣的热环境条件下可靠运行。其反向重复峰值电压(VRRM)可达100V,适用于中等电压等级的电路应用。封装形式为SMA,便于自动化贴片生产,提高组装效率并降低制造成本。MBRS1100TRPBF还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,可有效应对瞬态过载情况。作为一款成熟且经过市场验证的功率二极管,它被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。制造商提供的详细数据手册包含了电气特性、热性能参数、机械尺寸以及可靠性测试结果,可供工程师进行精确的设计与选型。

参数

型号:MBRS1100TRPBF
  类型:肖特基二极管
  封装:SMA
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  最大重复反向电压(VRRM):100V
  平均整流电流(IF(AV)):1A
  正向压降(VF):840mV @ 1A, 1V典型值
  最大反向漏电流(IR):1mA @ 100V, 25°C
  工作结温范围(TJ):-65°C ~ +125°C
  储存温度范围(Tstg):-65°C ~ +150°C
  热阻结至环境(θJA):约150°C/W(依PCB布局而定)
  峰值浪涌电流(IFSM):30A @ 8.3ms半正弦波

特性

MBRS1100TRPBF的最显著特性之一是其低正向电压降,典型值仅为840mV,最大不超过1V,当通过1A电流时。这一特性极大地减少了导通状态下的功率损耗,提升了整体系统的能效水平,尤其在电池供电或对功耗敏感的应用中至关重要。由于肖特基二极管的工作原理基于金属-半导体接触而非PN结,因此不存在少数载流子存储效应,从而实现了极快的开关速度和几乎零反向恢复时间(trr)。这种快速响应能力使其非常适合用于高频开关电源、同步整流替代方案以及噪声敏感电路中,避免了传统二极管在关断过程中产生的反向恢复尖峰电流和电磁干扰问题。
  另一个关键特性是其良好的热稳定性与较高的最大工作结温(+125°C),使得该器件可以在较高环境温度下持续运行而不发生性能退化或失效。同时,其宽泛的储存温度范围(-65°C至+150°C)也增强了在极端气候条件下的适用性。器件的反向漏电流在室温下控制在1mA以内,在高温条件下虽有所增加,但仍处于可接受范围内,不会显著影响系统效率。此外,MBRS1100TRPBF具备一定的浪涌电流承受能力,峰值可达30A(8.3ms半正弦波),可用于应对启动瞬间或负载突变引起的瞬态电流冲击。
  从封装角度来看,SMA封装不仅体积小巧,节省PCB空间,而且具备良好的散热性能,配合适当的焊盘设计可有效降低热阻,延长器件寿命。该封装支持自动贴片工艺,提高了生产效率和一致性。更重要的是,MBRS1100TRPBF通过了严格的可靠性认证,包括高温反偏(HTRB)、高温储存(HTSL)和温度循环测试,确保长期使用的稳定性与安全性。其无铅和符合RoHS的设计也满足全球环保法规要求,适用于出口型产品和高端工业设备。

应用

MBRS1100TRPBF因其优异的电学性能和高可靠性,被广泛应用于多种电源相关电路中。最常见的应用场景是作为输出整流二极管用于DC-DC转换器和开关模式电源(SMPS)中,特别是在低压大电流输出拓扑如降压(Buck)变换器中,其低正向压降可显著提升转换效率,减少发热。此外,该器件也常用于反向极性保护电路,连接在电源输入端以防止因电池或电源接反而损坏后级电子元件。在便携式设备如智能手机、平板电脑、移动电源中,MBRS1100TRPBF可用于电源路径管理,实现高效的能量传输与隔离。
  在太阳能充电控制器、LED驱动电源和适配器等绿色能源产品中,该二极管凭借其高效率和小尺寸成为理想选择。其快速开关特性也使其适用于高频整流场合,例如射频电源或脉冲功率系统中的续流或钳位功能。在工业控制系统中,MBRS1100TRPBF可用于继电器驱动电路中的续流二极管,抑制感性负载断开时产生的反电动势,保护开关器件如MOSFET或晶体管。汽车电子领域也是其重要应用方向,可用于车载充电器、车身控制模块或辅助电源单元,在振动、温度变化剧烈的环境中仍能稳定工作。
  此外,由于其具备一定的浪涌承受能力,该器件也可用于瞬态电压抑制辅助电路或作为低成本的过压保护元件。在通信设备中,如路由器、交换机的板载电源模块中,MBRS1100TRPBF有助于提升整体电源效率并减小散热需求。总之,凡是在需要高效、小型化、高可靠性的整流或防反接功能的场合,MBRS1100TRPBF都是一种经济且实用的选择。

替代型号

MBR1100FILMS-TP,MURS110T3G,SB10100,S100CCT

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MBRS1100TRPBF参数

  • 数据列表MBRS190TRPBF, MBRS1100TRPBF
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)780mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 100V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装DO-214AA(SMB)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MBRS1100TRPBFDKR