FMV19N60E 时间：2025/8/9 18:43:21 阅读：19

FMV19N60E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高电压和高功率的应用场景。该器件采用先进的平面硅栅工艺技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（600V）以及优良的热稳定性，适用于电源转换、开关电路、工业电机控制等领域。其封装形式为TO-3P，这种封装结构提供了良好的散热性能，同时也便于安装和维护。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：19A @ 100°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.23Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-3P

特性

FMV19N60E MOSFET具有多项显著特性，首先，其高击穿电压（600V）使其非常适合高压应用，例如工业电源和逆变器设计。其次，该器件的导通电阻较低，约为0.23Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET的连续漏极电流为19A，在高温环境下依然能保持稳定运行，展现了良好的电流承载能力。
　　该器件的封装形式为TO-3P，这种金属封装不仅提供了出色的热管理性能，还增强了机械强度，适合在严苛环境中使用。同时，FMV19N60E具备较高的栅极电压耐受能力（±30V），从而降低了因过压而导致栅极损坏的风险，提高了系统的可靠性。
　　另外，该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关应用，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。其良好的热稳定性也使得在高负载条件下依然能够维持较低的工作温度，从而延长器件寿命并减少系统维护需求。

应用

FMV19N60E MOSFET广泛应用于多种高功率和高电压场景。例如，在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器中，以提高能量转换效率并减少热量产生。在工业自动化和电机控制中，该器件可用于驱动电机、继电器和各种高功率负载，提供稳定可靠的开关控制。
　　此外，该MOSFET在逆变器设计中也具有广泛应用，例如太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电动汽车充电设备中，用于实现高效的电能转换。其高频开关特性还使其适用于LED照明驱动电路、电源适配器以及电池管理系统（BMS）。
　　由于其优异的热稳定性和高可靠性，FMV19N60E也常用于家电领域，如电磁炉、洗衣机和空调系统中的功率控制模块。