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TC58NVG0S3HTA00 发布时间 时间:2025/5/10 15:09:07 查看 阅读:9

TC58NVG0S3HTA00是东芝(Toshiba)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片采用MLC(多层单元)技术,主要用于存储数据,具有高容量、低功耗和高性能的特点,适用于各种嵌入式系统、消费电子设备以及工业应用。它支持标准的 Toggle Mode 2.0 接口协议,能够提供快速的数据传输速率。

参数

存储容量:16GB
  存储类型:MLC NAND Flash
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:2.7V至3.6V
  工作电压VccQ:1.7V至1.95V
  数据传输速率:最高可达133MT/s
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  页面大小:8KB

特性

TC58NVG0S3HTA00采用了先进的MLC NAND Flash技术,具备较高的数据存储密度,同时保持较低的单位成本。这款芯片通过Toggle Mode 2.0接口实现了更快的数据读写速度,并且具有良好的耐久性和可靠性。
  此外,该芯片的工作电压范围宽泛,可以适应多种供电环境,非常适合在便携式和电池供电设备中使用。其工作温度范围广泛,确保了在极端环境下依然能够稳定运行。
  另外,TC58NVG0S3HTA00的设计充分考虑了节能需求,有助于降低整体系统的功耗,延长电池寿命。

应用

该芯片广泛应用于各类需要大容量存储但对成本敏感的产品中,例如智能手机、平板电脑、机顶盒、固态硬盘(SSD)、路由器、安防监控设备以及其他嵌入式系统。由于其出色的性能与可靠性,也常用于工业级存储解决方案中。

替代型号

TC58NVG0S3HSA00
  TC58NVG0T3HTA00
  THGLF2G8CPSBA8C

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TC58NVG0S3HTA00参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I