时间：2025/7/11 18:19:43
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MA0402CG5R6C250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，属于 Microchip 的 GaN FET 系列。该器件采用增强型设计，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高频开关应用。其封装形式为紧凑型表面贴装（SMD），有助于实现更高的功率密度和更小的解决方案尺寸。
该芯片通过优化的栅极驱动设计，能够显著降低开关损耗，并提供出色的耐用性和可靠性，适用于各种工业、通信和消费类电源系统。
型号：MA0402CG5R6C250
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：5.6mΩ
栅极电荷：80nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：LLCSP (Leadless Chip Carrier, Solder Pad Array)
结温：175℃
MA0402CG5R6C250 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（5.6mΩ），可显著减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关性能，支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频应用。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片在恶劣环境中的稳定性。
4. 支持零电压开关（ZVS）拓扑，进一步降低了开关损耗。
5. 高度可靠的增强模式（E-Mode）设计，确保了正常运行时的安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场部署。
7. 封装形式紧凑，易于集成到小型化设计中。
这些特点使得 MA0402CG5R6C250 成为高效电源转换的理想选择，例如 DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及无线充电设备等。
MA0402CG5R6C250 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心服务器电源
2. 工业用 AC-DC 和 DC-DC 电源模块
3. 消费电子产品的快充适配器
4. 电信基站电源
5. 太阳能微型逆变器
6. 电动工具和家用电器的电机驱动
7. 电动汽车充电桩
由于其卓越的性能和可靠性，这款 GaN 功率晶体管能够在多种高频、高压应用场景中发挥重要作用。
MA0402CG5R6C250B, MA0402CG5R6C250A
