AO3415AL是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种开关和功率管理电路中。该器件由Alpha & Omega Semiconductor生产,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于高效率DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及其他需要高效功率控制的应用场景。
AO3415AL采用了DFN3x3-8封装形式,这种小型化封装非常适合于空间受限的设计环境,同时其出色的电气性能使得它在便携式设备、消费类电子产品及通信设备中有广泛应用。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:6.2A
导通电阻(Rds(on)):9mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗:1.3W
工作结温范围:-55℃至150℃
封装类型:DFN3x3-8
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用场合。
3. 小型化的DFN3x3-8封装,节省PCB空间。
4. 较宽的工作温度范围,适应多种环境条件下的使用需求。
5. 高可靠性设计,确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保友好。
1. DC-DC转换器中的同步整流开关。
2. 负载开关,用于电源管理。
3. 电池保护电路,防止过充或过放。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
6. 通信设备中的信号切换与功率控制。
7. LED驱动电路中的开关元件。
AO3415A, AO3415