MA0402CG2R2D100 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用设计。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子设备,包括开关电源、电机驱动器和 DC-DC 转换器等。其封装形式为 DFN8,有助于提高散热性能并减少寄生电感的影响。
该器件采用了先进的 GaN 技术,在高频工作条件下表现出卓越的效率和稳定性,能够显著降低能量损耗。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:2A
导通电阻:2.2mΩ
栅极电荷:35nC
反向恢复时间:小于20ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
MA0402CG2R2D100 具备以下显著特性:
1. 使用氮化镓材料制造,实现了更低的导通电阻和更高的效率。
2. 支持高达数 MHz 的开关频率,非常适合高频应用。
3. 封装设计紧凑且优化了热性能,便于在小尺寸设计中使用。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了系统可靠性。
5. 极低的反向恢复时间减少了开关损耗,进一步提升了整体效率。
这款功率晶体管主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器,尤其是对效率和小型化有较高要求的设计。
3. 无线充电模块中的功率传输级。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. LED 照明系统的恒流控制单元。
MA0402CG2R2D200
MA0402CG2R2D300