GA1206A122KXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高效率方面表现出色,同时具备良好的热性能和可靠性。
这款器件通常用于要求高效能、小尺寸和高电流承载能力的场合,例如消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
型号:GA1206A122KXCBR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):120A
Ptot(总功耗):180W
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃至+175℃
栅极电荷:45nC(典型值)
输入电容:2900pF
GA1206A122KXCBR31G具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达120A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗,并提高高频操作下的性能。
4. 强大的散热设计,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 紧凑的封装形式,方便布局并节省电路板空间。
6. 高可靠性和长寿命,适合各种严苛的工作条件。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的桥臂功率管。
4. 负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 汽车电子系统的功率管理模块。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRFP2907,
STP120N06,
FDP150N06L