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GA1206A122KXCBR31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:01:55 查看 阅读:11

GA1206A122KXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高效率方面表现出色,同时具备良好的热性能和可靠性。
  这款器件通常用于要求高效能、小尺寸和高电流承载能力的场合,例如消费电子、工业控制及汽车电子等领域。

参数

型号:GA1206A122KXCBR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):120A
  Ptot(总功耗):180W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  栅极电荷:45nC(典型值)
  输入电容:2900pF

特性

GA1206A122KXCBR31G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达120A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗,并提高高频操作下的性能。
  4. 强大的散热设计,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 紧凑的封装形式,方便布局并节省电路板空间。
  6. 高可靠性和长寿命,适合各种严苛的工作条件。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的桥臂功率管。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 汽车电子系统的功率管理模块。
  7. 工业自动化设备中的功率控制单元。

替代型号

IRFP2907,
  STP120N06,
  FDP150N06L

GA1206A122KXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-