BSZ520N15NS3G 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-263-3 (DPAK),适用于多种工业及消费类电子应用。该芯片主要面向中等电压范围的应用场景,提供高效的功率转换和控制功能。
BSZ520N15NS3G 的额定耐压为 150V,并且在较低的栅极驱动电压下即可实现良好的性能表现。因此,它非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源 (SMPS) 等领域。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻(典型值,在 VGS=10V 时):0.14Ω
栅极电荷:17nC
反向恢复时间:8ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-263-3 (DPAK)
BSZ520N15NS3G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,能够支持高频开关应用,减少磁性元件尺寸和系统成本。
3. 内置 ESD 保护电路,提升了器件的可靠性。
4. 较小的封装体积使得 PCB 布局更加灵活,同时改善了散热性能。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 支持较宽的工作温度范围,适应各种严苛环境。
BSZ520N15NS3G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),例如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器,包括降压、升压以及反激式拓扑结构。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 各类电机驱动应用,如家用电器中的小型电机控制。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场合。
BSC016N06NS3, BSS123, IRF540N