BSZ520N15NS3G 时间：2025/4/30 10:02:07 阅读：26

BSZ520N15NS3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-263-3 (DPAK)，适用于多种工业及消费类电子应用。该芯片主要面向中等电压范围的应用场景，提供高效的功率转换和控制功能。
　　BSZ520N15NS3G 的额定耐压为 150V，并且在较低的栅极驱动电压下即可实现良好的性能表现。因此，它非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源 (SMPS) 等领域。

参数

最大漏源电压：150V
　　连续漏极电流：8.9A
　　导通电阻（典型值，在 VGS=10V 时）：0.14Ω
　　栅极电荷：17nC
　　反向恢复时间：8ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-263-3 (DPAK)

特性

BSZ520N15NS3G 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力，能够支持高频开关应用，减少磁性元件尺寸和系统成本。
　　3. 内置 ESD 保护电路，提升了器件的可靠性。
　　4. 较小的封装体积使得 PCB 布局更加灵活，同时改善了散热性能。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　6. 支持较宽的工作温度范围，适应各种严苛环境。

应用

BSZ520N15NS3G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，例如适配器和充电器。
　　2. DC-DC 转换器，包括降压、升压以及反激式拓扑结构。
　　3. 电池管理系统的充放电控制。
　　4. 各类电机驱动应用，如家用电器中的小型电机控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场合。