MA0402CG240G500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率电子器件,属于 GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)。它具有高开关频率、低导通电阻和高效率等特性,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、无线充电模块以及其他功率转换应用。
该器件采用增强型设计(e-mode),通常需要正向栅极驱动电压才能导通。其封装形式为行业标准的表面贴装器件(SMD),便于自动化生产和集成到紧凑型电路设计中。
额定电压:650V
额定电流:2A
导通电阻:240mΩ
最大工作温度范围:-40℃ to +125℃
栅极驱动电压:3V(典型值,开启)/ 0V(典型值,关断)
开关频率:支持高达数 MHz
封装类型:DFN8(无引脚表面贴装)
MA0402CG240G500 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高负载条件下能够显著降低功耗。
2. 快速开关速度,支持 MHz 级别的开关频率,适合高频应用场景。
3. 高击穿电压(650V),能够在高压环境下稳定运行。
4. 增强型设计确保了器件的安全性和可靠性,不需要复杂的栅极驱动电路。
5. 小巧的 DFN8 封装形式有助于节省 PCB 空间,满足小型化需求。
6. 内置反向恢复二极管功能,减少开关损耗并提升整体效率。
7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这款 GaN 功率器件广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 开关模式电源(SMPS),如笔记本适配器或 USB-PD 充电器。
3. 无线充电系统中的功率传输级。
4. 激光雷达(LiDAR)和其他高速脉冲生成设备。
5. 可再生能源逆变器,例如微型太阳能逆变器。
6. 工业电源及通信电源模块。
MA0402CG240G450, MA0402CG150G500