时间：2025/5/22 13:55:07
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FQB16N25C 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-220 封装形式。该器件主要适用于高电压和大电流的应用场景，例如开关电源、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等。它具备低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点，能够显著提升电路效率并降低功耗。
该 MOSFET 的最大漏源极耐压为 250V，连续漏极电流可达 16A（在特定结温条件下）。同时，其优化的栅极电荷设计使得驱动损耗进一步减少，非常适合高频开关应用。
最大漏源极耐压：250V
最大连续漏极电流：16A
最大漏源极导通电阻：0.18Ω
最大栅源电压：±20V
最大功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高击穿电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻，可有效减少导通时的功耗。
3. 快速开关特性，适合高频应用场合。
4. 内置反向恢复二极管，支持续流保护功能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中作为功率输出级。
3. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
4. 续流二极管替代方案，用于电感性负载保护。
5. 各种工业控制及汽车电子领域中的功率转换与调节。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率处理模块。
FQP16N25C
IRF250
FDP16N25C
