时间：2025/7/9 23:55:00
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MA0402CG181F160 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻和高效率的特点，适合要求严格的工业和消费类电子应用。
型号：MA0402CG181F160
类型：N-Channel Power MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：160A
栅极电荷(Qg)：50nC
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
MA0402CG181F160 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.8mΩ，能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。
2. 支持高达 160A 的连续漏极电流，适用于大电流应用场景。
3. 高速开关性能，栅极电荷 (Qg) 小于 50nC，确保高效的开关操作。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，使其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计，满足国际法规要求。
MA0402CG181F160 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于高效能量转换。
2. 电机驱动器，如电动工具、家用电器中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和功率调节。
4. 汽车电子系统中的电源管理和电池保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
MA0402CG181F120, MA0402DG181F160
