时间：2025/9/22 15:48:34
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FMH28N50SE是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的平面条纹式场效应晶体管制造工艺，结合了高压性能与低导通电阻的特性，能够在高达500V的工作电压下稳定运行。其设计目标是为开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路以及其他需要高耐压和高效能表现的应用提供可靠的解决方案。该MOSFET封装在TO-220F或类似形式中，具备良好的热传导能力，有助于提升系统整体的散热性能和长期运行稳定性。
由于其优化的栅极电荷特性和较低的输出电容，FMH28N50SE在高频开关环境下仍能保持较低的开关损耗，从而提高系统的能源利用效率。此外，该器件还具有优良的抗雪崩能力和坚固的结构设计，可在瞬态过压条件下维持安全操作。对于追求小型化、高功率密度及节能环保要求的现代电力电子设备而言，FMH28N50SE是一个理想的选择。
型号：FMH28N50SE
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）@25℃：28A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻Rds(on)：最大0.17Ω @ Vgs=10V, Id=14A
阈值电压（Vth）：典型值3V，范围2V~4V
输入电容（Ciss）：约1300pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：约180pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：无体二极管快恢复特性
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220F
FMH28N50SE具备出色的电气性能和可靠性，特别适合用于中高功率的开关电源设计。其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整个系统的效率。尤其是在大电流负载条件下，这种低阻特性能够显著减少发热，延长元器件寿命并降低对散热系统的依赖。此外，该MOSFET采用了优化的晶圆工艺，使得单位面积内的载流能力更强，进一步提高了功率密度。
另一个关键特性是其优秀的开关性能。FMH28N50SE具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关过程中所需的驱动能量更少，同时有效抑制了因寄生电容引起的开关延迟和振荡现象。这对于提高电源的工作频率、减小磁性元件体积以及实现更高的功率密度至关重要。配合快速的开关响应能力，该器件可以在硬开关拓扑如反激式、正激式或LLC谐振变换器中表现出优异的动态响应。
在安全性和鲁棒性方面，FMH28N50SE具备较高的漏源击穿电压（BVDSS=500V），可承受瞬时电压冲击，并支持宽范围的输入电压波动，适用于全球通用交流输入（85V~265V AC）环境下的PFC级应用。其内置的体二极管虽非专门设计用于高速整流，但在某些拓扑结构中仍可提供必要的续流路径。此外，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装技术，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。通过严格的质量控制流程生产，确保每批次产品的一致性和长期可靠性。
FMH28N50SE广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高电压等级和高效能转换的场景。常见的应用领域包括工业用AC-DC开关电源模块，在这类设备中，它通常被部署于主开关管位置，承担能量传递的核心任务，支持从市电到直流低压的高效转换。由于其500V的耐压能力，特别适合用于离线式反激或正激拓扑结构中，作为主控开关元件使用。
在通信电源系统中，FMH28N50SE可用于构建高性能DC-DC转换器，将48V母线电压降至适合数字电路工作的5V、3.3V或更低电压等级。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损失，提升整机效率，满足电信设备对高可靠性和节能的需求。此外，在服务器电源、医疗电源等对稳定性和安全性要求极高的场合，该器件也能发挥出色表现。
在消费类电子产品中，例如大功率适配器、LED照明驱动电源、家电变频控制系统等，FMH28N50SE同样具备广泛应用前景。特别是在LED恒流驱动电路中，它可以作为初级侧开关管参与功率调节，配合控制器实现精准的调光与保护功能。另外，该器件还可用于有源功率因数校正（APFC）电路，帮助系统达到IEC61000-3-2等国际谐波标准，改善电网电能质量。总之，凡涉及高压、高频、高效能转换需求的电力电子装置，均可考虑选用FMH28N50SE作为核心开关器件。
FQP28N50C,FQA28N50,FDB28N50
