MA0201XR331M250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺,在保证高效率的同时,也具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式适合表面贴装技术(SMT),能够有效节省电路板空间。
型号:MA0201XR331M250
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):17A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
总功耗(Ptot):140W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
MA0201XR331M250 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,可实现高频工作,从而减少磁性元件的体积。
3. 高雪崩耐量能力,能够在过载条件下提供额外的保护。
4. 内置反向恢复二极管,优化了同步整流应用中的表现。
5. 热稳定性强,能够在高温环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接在现代化生产线上。
这些特点使该芯片成为需要高效能、高可靠性的功率转换应用的理想选择。
MA0201XR331M250 可用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计,如适配器、充电器等。
2. 各类 DC/DC 转换器,包括降压、升压和反激拓扑。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 汽车电子中的负载切换与电池管理。
5. 工业自动化设备中的功率模块。
6. 通信电源系统中的同步整流功能。
其宽泛的应用范围得益于其强大的电气性能和环境适应能力。
MA0201XR331M180, IRFZ44N, FDP5540