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IS43R86400E-6BLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:30:29 查看 阅读:24

IS43R86400E-6BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),属于高性能的低功耗CMOS SRAM芯片系列。该型号SRAM通常用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中,如工业控制、通信设备、消费电子产品等。这款SRAM具有异步接口,支持高速读写操作,并且在电源管理方面表现出色。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:8M x 8 或 4M x 16(取决于配置)
  电源电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:55ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:TSOP
  引脚数量:54-pin

特性

IS43R86400E-6BLI SRAM具有多种优异的性能特点。首先,其高速访问时间为55ns,确保了快速的数据读写能力,适合实时系统和高速缓存应用。其次,该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时,有效降低功耗,适用于对功耗敏感的设计。此外,该SRAM具有宽电压输入范围(2.3V至3.6V),使其能够兼容多种电源系统,并增强其在不同应用场景中的适用性。
  该芯片的异步接口设计使其能够与多种控制器和处理器无缝连接,无需额外的时钟同步逻辑,简化了硬件设计。同时,其54-pin TSOP封装形式具有良好的散热性能和较小的体积,适用于高密度PCB布局。在工作温度方面,IS43R86400E-6BLI支持-40°C至+85°C的工业级温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行,适合工业控制、自动化设备和通信基础设施等应用领域。

应用

IS43R86400E-6BLI SRAM广泛应用于需要高性能、低功耗和高稳定性的电子系统中。常见的应用包括工业控制设备(如PLC、工业计算机)、通信设备(如路由器、交换机、基站模块)、嵌入式系统(如智能仪表、医疗设备)、消费类电子产品(如高清电视、游戏设备)等。由于其高速读写能力和宽温工作范围,该SRAM也适用于汽车电子系统,如车载导航、信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。

替代型号

IS43L86400E-6BLI, CY62148EVLL, IS61LV256AL, IS62WV51216

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IS43R86400E-6BLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)