BT8474KPF 时间：2025/12/28 8:14:26 阅读：17

BT8474KPF是一款由长电科技（JSC Semi）推出的高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等电子系统中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出优异的效率和热稳定性。BT8474KPF封装于DFN2020-6L小型无铅封装中，具有良好的散热性能和紧凑的占位面积，非常适合对空间要求严苛的便携式设备和高密度PCB布局设计。该产品符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，适用于工业控制、消费类电子及通信设备等多种应用场景。其低阈值电压特性也使其能够兼容3.3V或5V逻辑信号驱动，增强了系统集成的灵活性。

参数

型号：BT8474KPF
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：12A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：48A
　　导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ @ VGS=10V, 6.8mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1150pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：350pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：90pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：15nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(Td(on))：8ns
　　上升时间(Tr)：35ns
　　关断延迟时间(Td(off))：25ns
　　下降时间(Tf)：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2020-6L

特性

BT8474KPF采用了先进的沟槽型MOSFET制造工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提升了整体能效。其典型RDS(on)仅为5.8mΩ（在VGS=10V条件下），即便在低栅压如4.5V时也能保持6.8mΩ的低阻状态，这使得它在电池供电设备或需要节能设计的应用中表现尤为突出。此外，该器件具备较低的栅极电荷（Qg=15nC），有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，适合用于同步整流、Buck/Boost转换器等拓扑结构。
　　该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.0V，属于低阈值类型，因此可以轻松被微控制器或其他低压逻辑电路直接驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了外围电路设计并降低了系统成本。同时，其出色的热性能得益于DFN2020-6L封装底部集成的散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至地层，实现高效的热管理，在持续大电流工作下仍能保持稳定运行。
　　BT8474KPF还具备优良的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了在恶劣电气环境下的鲁棒性。内部结构经过优化，减小了寄生电感和电容的影响，从而抑制了开关过程中的振铃现象，提高了系统的电磁兼容性（EMC）。所有这些特性共同确保了BT8474KPF在高频率、高效率和高可靠性要求的应用场景中具有卓越的表现。

应用

BT8474KPF主要应用于各类中低电压直流电源系统中，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。常见应用包括便携式电子设备中的电池管理系统（BMS）、智能手机和平板电脑的电源模块、LED驱动电路、USB Type-C PD电源适配器、无线充电发射端和接收端电路等。由于其支持大电流切换能力，也常用于电动工具、无人机和小型电机的H桥或半桥驱动电路中作为主开关元件。
　　在DC-DC转换器设计中，BT8474KPF可用于同步整流拓扑中的下管或上管，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著降低功率损耗，提高转换效率。此外，它还可用于负载开关、热插拔控制器、过流保护电路以及各类开关电源（SMPS）中的功率开关节点。工业自动化设备中的传感器供电模块、PLC输入输出单元以及通信基站的电源管理单元也是其典型使用场景。得益于DFN2020-6L的小型化封装，该器件特别适合高度集成的模块化电源设计，满足现代电子产品对轻薄化和高功率密度的需求。