容量：256Mbit
　　组织结构：4M x 64bit
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据传输速率：166MHz
　　接口类型：同步
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns
　　功耗（最大）：120mA（工作时），10mA（待机时）

GD9D4M4EYKM-MMB10 是一款高性能的同步动态随机存取存储器芯片，具有多种显著的特性。首先，其存储容量为256Mbit，组织结构为4M x 64位，使其适用于需要大容量存储的应用场景。其同步接口支持高达166MHz的时钟频率，这意味着它可以实现非常高的数据传输速率，从而提高系统的整体性能。此外，该芯片支持标准的SDRAM接口协议，兼容多种主控器，便于集成到各种系统中。
　　该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电压适应性，能够在不同电源条件下稳定工作。这使得它适用于多种应用场景，包括便携式设备和工业控制系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，确保在极端温度环境下仍能保持稳定运行。
　　在功耗方面，GD9D4M4EYKM-MMB10 的最大工作电流为120mA，在待机模式下仅消耗10mA的电流，具有较低的功耗特性。这对于需要节能设计的应用（如电池供电设备）尤为重要。此外，该芯片采用TSOP封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。
　　该芯片还支持多种低功耗模式，如待机模式和自刷新模式，进一步降低功耗并延长设备的使用时间。它具备自动刷新功能，刷新周期为64ms，确保数据在断电情况下不会丢失。此外，GD9D4M4EYKM-MMB10 的访问时间为5.4ns，提供快速的数据读写能力，适用于对响应时间要求较高的系统。

GD9D4M4EYKM-MMB10 主要用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统和工业设备。典型应用包括网络路由器、交换机、工业控制设备、医疗设备、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒）以及各种便携式电子设备。由于其高容量、低功耗和宽温特性，该芯片特别适合在环境恶劣或需要长时间稳定运行的工业控制系统中使用。此外，其高速数据传输能力也使其适用于图像处理、视频流传输和数据缓存等应用场景。

IS42S16400J-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1370BV25-100BZS、A3974EJ、CY7C1370BV25-100BZXC