时间：2025/7/11 13:06:18
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ESD8D3.3N3-S10T 是一款用于保护电子设备免受静电放电（ESD）影响的瞬态电压抑制二极管（TVS）。该器件具有低电容特性，适用于高速数据线和射频信号线的保护。它能够有效抑制因 ESD 或其他瞬态电压引起的损害，同时保持信号完整性。
这款 TVS 二极管采用 SOT-23 封装形式，便于表面贴装工艺，并且符合 RoHS 标准，适合在各种消费类电子产品、通信设备及工业应用中使用。
工作电压：3.3V
击穿电压：4V
最大箝位电压：15V
峰值脉冲电流：±8A（8/20μs）
电容：0.3pF（典型值）
响应时间：<1ns
封装：SOT-23
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
ESD8D3.3N3-S10T 的主要特性包括低电容设计，使其非常适合高速数据接口的保护需求；快速响应时间可以确保及时抑制瞬态电压脉冲；较高的峰值脉冲电流承受能力增强了其可靠性。
此外，器件的小型化封装有助于节省电路板空间，而 RoHS 合规性则满足了现代环保要求。该 TVS 二极管还具备双向保护功能，能够应对正负两方向的过电压威胁。
该元器件广泛应用于 USB、HDMI、以太网以及其他高速数据接口的保护场景。它也可用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中的射频前端保护。
除此之外，在工业自动化控制领域，ESD8D3.3N3-S10T 可以为传感器信号线路提供可靠的防护，防止由于外界干扰导致的系统故障。
PESD8V0B3BUS_L, SM712
