时间：2025/6/28 11:24:05
阅读：5
MA0201XF221K500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等高效率应用领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提升系统效率。
这款芯片适用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中，例如适配器、充电器以及工业控制中的电源管理单元。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：3090pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
MA0201XF221K500 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用，有助于缩小无源元件体积。
3. 高雪崩能力，增强在异常情况下的耐用性和可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 小型封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
该芯片广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源(SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的逆变器和变频器。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理单元。
MA0201XF221K400, IRFZ44N, FDP5800
