BAV70T/R是一种高速双通道开关二极管,广泛用于电子电路中的信号切换和保护。该器件由两个独立的二极管组成,具有低电容和快速恢复时间的特点,非常适合用于高频应用。
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大正向电流(IF):300mA
最大反向电流(IR):100nA
正向电压降(VF):1.25V @ 10mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
BAV70T/R采用了先进的硅外延工艺制造,确保了其在高频下的稳定性能。其低电容特性(通常为2pF)使其非常适合用于射频(RF)信号切换和保护电路。此外,该二极管具有快速恢复时间(通常为4ns),可以有效减少信号延迟和失真。由于其双通道结构,BAV70T/R可以在同一封装中实现两个独立的开关功能,从而节省电路板空间并简化设计。此外,该器件的封装形式为SOT-23,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于表面贴装技术(SMT)。
BAV70T/R常用于通信设备中的射频信号切换和保护,例如在无线基站、卫星通信系统和射频测试设备中。此外,该器件也可用于电源管理电路、信号路由和隔离电路。由于其高速特性和紧凑的封装,BAV70T/R在消费电子、工业控制和汽车电子等领域也有广泛应用。
BAV70W, 1N4148, BAS70